BEIJING, 4 may (Xinhua) -- Investigadores chinos han descubierto un nuevo mecanismo para desarrollar dispositivos de memoria no volátil de ultra alta velocidad, informó hoy martes el Instituto de Física de la Academia de Ciencias de China (ACCh).
El desarrollo de dispositivos de memoria de alto rendimiento ha tenido un papel fundamental en la innovación electrónica moderna. Los dispositivos de memoria no volátil, como la memoria de sólo lectura (ROM) y la memoria flash, tienen una gran capacidad y fiabilidad mecánica. Sin embargo, su rendimiento se ha visto obstaculizado por la baja proporción de extinción y la baja velocidad de funcionamiento.
Un equipo de investigación del Instituto de Física ha desarrollado dispositivos de memoria no volátil de puerta flotante con una velocidad ultra alta, basados en heteroestructuras de van der Waals con interfaces atómicamente nítidas entre diferentes elementos funcionales, con una proporción de extinción de hasta 10.000 millones.
Estos dispositivos de memoria pueden realizar operaciones de lectura y escritura en un rango de 20 nanosegundos, y conservar los datos durante al menos diez años. Los actuales dispositivos comerciales de memoria flash leen y escriben datos en un rango de 100 microsegundos o 100.000 nanosegundos.
Las heteroestructuras de Van der Waals se fabrican apilando diferentes materiales en capas y pueden emplearse en campos de investigación que van desde la ciencia de los materiales hasta la electroquímica.
La investigación, financiada por la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China, el Ministerio de Ciencia y Tecnología y la ACCh, se publicó el lunes en la revista Nature Nanotechnology.
